| Modèle de produit : | MPG06M-E3/73 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| La description : | DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 433513 pcs |
| Livret des spécifications | MPG06M-E3/73.pdf |
| Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1A |
| Tension - Ventilation | MPG06 |
| Séries | - |
| État RoHS | Tape & Box (TB) |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Polarisation | MPG06, Axial |
| Température d'utilisation - Jonction | 600ns |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
| Référence fabricant | MPG06M-E3/73 |
| Description élargie | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole MPG06 |
| Configuration diode | 5µA @ 1000V |
| La description | DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1.1V @ 1A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 1000V (1kV) |
| Capacité à Vr, F | -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division
