Modèle de produit : | MPG06M-E3/73 |
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Fabricant / marque : | Vishay Semiconductor Diodes Division |
La description : | DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 433513 pcs |
Livret des spécifications | MPG06M-E3/73.pdf |
Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1A |
Tension - Ventilation | MPG06 |
Séries | - |
État RoHS | Tape & Box (TB) |
Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Résistance @ Si, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Polarisation | MPG06, Axial |
Température d'utilisation - Jonction | 600ns |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
Référence fabricant | MPG06M-E3/73 |
Description élargie | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole MPG06 |
Configuration diode | 5µA @ 1000V |
La description | DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1.1V @ 1A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 1000V (1kV) |
Capacité à Vr, F | -55°C ~ 150°C |