Modèle de produit : | MMUN2137LT1G |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 2920544 pcs |
Livret des spécifications | MMUN2137LT1G.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | SOT-23 (TO-236AB) |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Puissance - Max | 246mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | MMUN2137LT1G-ND MMUN2137LT1GOSTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |