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MKI50-12E7

Modèle de produit : MKI50-12E7
Fabricant / marque : IXYS Corporation
La description : MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4069 pcs
Livret des spécifications MKI50-12E7.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur E2
Séries -
Puissance - Max 350W
Package / Boîte E2
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
NTC thermistance No
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.8nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT NPT
Description détaillée IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 90A 350W Chassis Mount E2
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 800µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 90A
Configuration Full Bridge Inverter
Numéro de pièce de base MKI
IXYS Corporation Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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