Modèle de produit : | KSD560Y |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4924 pcs |
Livret des spécifications | 1.KSD560Y.pdf2.KSD560Y.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 3mA, 3A |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Package composant fournisseur | TO-220-3 |
Séries | - |
Puissance - Max | 1.5W |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 5A 1.5W Through Hole TO-220-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5000 @ 3A, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 5A |
Numéro de pièce de base | KSD560 |