| Modèle de produit : | KSD1221GTU |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | TRANS NPN 60V 3A I-PAK |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4122 pcs |
| Livret des spécifications | KSD1221GTU.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 300mA, 3A |
| Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | I-PAK |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 1W |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 3MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 1W Through Hole I-PAK |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 3A |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
