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JAN1N3671A

Modèle de produit : JAN1N3671A
Fabricant / marque : Microsemi
La description : DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
État RoHS : Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 702 pcs
Livret des spécifications JAN1N3671A.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.35V @ 38A
Tension - inverse (Vr) (max) 800V
Package composant fournisseur DO-203AA (DO-4)
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries Military, MIL-PRF-19500/260
Emballage Bulk
Package / Boîte DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms 1086-16802
1086-16802-MIL
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C
Type de montage Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 12A
Capacité à Vr, F -
Microsemi Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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