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IXTT2N170D2

Modèle de produit : IXTT2N170D2
Fabricant / marque : IXYS Corporation
La description : MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 2010 pcs
Livret des spécifications IXTT2N170D2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id -
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-268
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1A, 0V
Dissipation de puissance (max) 568W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3650pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -
Tension drain-source (Vdss) 1700V
Description détaillée N-Channel 1700V 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tj)
IXTT2N170D2
IXYS Corporation IXYS Corporation Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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