| Modèle de produit : | IXFX120N20 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | IXYS Corporation |
| La description : | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 2240 pcs |
| Livret des spécifications | IXFX120N20.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PLUS247™-3 |
| Séries | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 560W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | IFX120N20 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V |
| Description détaillée | N-Channel 200V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
IXYS Corporation
