Modèle de produit : | IXFH150N17T2 |
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Fabricant / marque : | IXYS Corporation |
La description : | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5083 pcs |
Livret des spécifications | IXFH150N17T2.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Séries | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 75A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 880W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14600pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 233nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 175V |
Description détaillée | N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 150A (Tc) |