| Modèle de produit : | IS49NLC18160-33BI |
|---|---|
| Fabricant / marque : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| La description : | IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA |
| État RoHS : | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5956 pcs |
| Livret des spécifications | IS49NLC18160-33BI.pdf |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.9 V |
| La technologie | DRAM |
| Package composant fournisseur | 144-FCBGA (11x18.5) |
| Séries | - |
| Emballage | Tray |
| Package / Boîte | 144-TFBGA |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 288Mb (16M x 18) |
| Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée | DRAM Memory IC 288Mb (16M x 18) Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5) |
| Fréquence d'horloge | 300MHz |
| Temps d'accès | 20ns |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
