| Modèle de produit : | IRF9952 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description : | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| État RoHS : | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5310 pcs |
| Livret des spécifications | IRF9952.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Puissance - Max | 2W |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | *IRF9952 SP001563782 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| type de FET | N and P-Channel |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.5A, 2.3A |
International Rectifier (Infineon Technologies)
