Modèle de produit : | IRF3717 |
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Fabricant / marque : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
La description : | MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC |
État RoHS : | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Quantité disponible | 3992 pcs |
Livret des spécifications | IRF3717.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | *IRF3717 SP001561700 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2890pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | N-Channel 20V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |