Modèle de produit : | IDT71V25761YSA200BQI |
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Fabricant / marque : | IDT (Integrated Device Technology) |
La description : | IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA |
État RoHS : | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Quantité disponible | 4477 pcs |
Livret des spécifications | 1.IDT71V25761YSA200BQI.pdf2.IDT71V25761YSA200BQI.pdf |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Tension - Alimentation | 3.135 V ~ 3.465 V |
La technologie | SRAM - Synchronous |
Package composant fournisseur | 165-CABGA (13x15) |
Séries | - |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 165-TBGA |
Autres noms | 71V25761YSA200BQI |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 4.5Mb (128K x 36) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | SRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Description détaillée | SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 5ns 165-CABGA (13x15) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Numéro de pièce de base | IDT71V25761 |
Temps d'accès | 5ns |