| Modèle de produit : | HUF76429S3ST |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 27556 pcs |
| Livret des spécifications | HUF76429S3ST.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 47A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | HUF76429S3ST-ND HUF76429S3STTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 13 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 47A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 47A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
