| Modèle de produit : | HN4C51J(TE85L,F) |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 215282 pcs |
| Livret des spécifications | HN4C51J(TE85L,F).pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) Common Base |
| Package composant fournisseur | SMV |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 300mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | SC-74A, SOT-753 |
| Autres noms | HN4C51J(TE85LF)CT |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 100MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
