Modèle de produit : | HN1B04F(TE85L,F) |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5193 pcs |
Livret des spécifications | HN1B04F(TE85L,F).pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Transistor Type | NPN, PNP |
Package composant fournisseur | SM6 |
Séries | - |
Puissance - Max | 300mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-74, SOT-457 |
Autres noms | HN1B04F (TE85L,F) HN1B04F(TE85LF)TR |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 100mA, 1V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |