Modèle de produit : | H11A817B300 |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5605 pcs |
Livret des spécifications | H11A817B300.pdf |
Tension - Sortie (max) | 70V |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Activer / éteindre l'heure (Typ) | - |
Package composant fournisseur | 4-DIP |
Séries | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 2.4µs, 2.4µs |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Le type de sortie | Transistor |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Nombre de canaux | 1 |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type d'entrée | DC |
Description détaillée | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP |
Rapport du transfert de courant (min) | 130% @ 5mA |
Rapport du transfert de courant (max) | 260% @ 5mA |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Courant - DC Forward (If) (Max) | 50mA |