Modèle de produit : | FST83100M |
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Fabricant / marque : | GeneSiC Semiconductor |
La description : | DIODE MODULE 100V 80A D61-3M |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 2980 pcs |
Livret des spécifications | 1.FST83100M.pdf2.FST83100M.pdf |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 840mV @ 80A |
Tension - inverse (Vr) (max) | 100V |
Package composant fournisseur | D61-3M |
La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Séries | - |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | D61-3M |
Autres noms | FST83100MGN |
Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode | Schottky |
Configuration diode | 1 Pair Common Cathode |
Description détaillée | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 80A (DC) Chassis Mount D61-3M |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1.5mA @ 20V |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 80A (DC) |