| Modèle de produit : | FR16JR02 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | GeneSiC Semiconductor |
| La description : | DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 6578 pcs |
| Livret des spécifications | 1.FR16JR02.pdf2.FR16JR02.pdf |
| Tension - Inverse de crête (max) | Standard, Reverse Polarity |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 16A |
| Tension - Ventilation | DO-4 |
| Séries | - |
| État RoHS | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms | FR16JR02GN |
| Température d'utilisation - Jonction | 250ns |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | FR16JR02 |
| Description élargie | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 16A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Configuration diode | 25µA @ 100V |
| La description | DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 900mV @ 16A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600V |
| Capacité à Vr, F | -65°C ~ 150°C |
