Modèle de produit : | FQPF3P50 |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5827 pcs |
Livret des spécifications | FQPF3P50.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-220F |
Séries | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 Ohm @ 950mA, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 39W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 500V |
Description détaillée | P-Channel 500V 1.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.9A (Tc) |