| Modèle de produit : | FQPF33N10L |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 54527 pcs |
| Livret des spécifications | FQPF33N10L.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220F |
| Séries | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 41W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms | FQPF33N10L-ND FQPF33N10LFS |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 5 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
