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FQPF27P06

Modèle de produit : FQPF27P06
Fabricant / marque : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 34307 pcs
Livret des spécifications FQPF27P06.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220F
Séries QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms FQPF27P06-ND
FQPF27P06FS
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 9 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée P-Channel 60V 17A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)
FQPF27P06
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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