Modèle de produit : | FJNS4210RBU |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5991 pcs |
Livret des spécifications | FJNS4210RBU.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | TO-92S |
Séries | - |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 300mW |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |