| Modèle de produit : | FJN3312RTA |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4375 pcs |
| Livret des spécifications | FJN3312RTA.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 |
| Séries | - |
| Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
| Puissance - Max | 300mW |
| Emballage | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
