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FGB30N6S2D

Modèle de produit : FGB30N6S2D
Fabricant / marque : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description : IGBT 600V 45A 167W TO263AB
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 11491 pcs
Livret des spécifications FGB30N6S2D.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A
Condition de test 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 6ns/40ns
énergie de commutation 55µJ (on), 100µJ (off)
Package composant fournisseur TO-263AB
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 46ns
Puissance - Max 167W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms FGB30N6S2D_NL
FGB30N6S2D_NL-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard
type de IGBT -
gate charge 23nC
Description détaillée IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 108A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 45A
Numéro de pièce de base FGB30N6
FGB30N6S2D
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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