| Modèle de produit : | FDT86106LZ |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 55225 pcs |
| Livret des spécifications | 1.FDT86106LZ.pdf2.FDT86106LZ.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | SOT-223-4 |
| Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.2W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms | FDT86106LZ-ND FDT86106LZTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 25 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
