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FDS8874

Modèle de produit : FDS8874
Fabricant / marque : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4030 pcs
Livret des spécifications FDS8874.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SO
Séries PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms FDS8874CT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3990pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta)
FDS8874
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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