Modèle de produit : | FDMS3615S |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 52225 pcs |
Livret des spécifications | FDMS3615S.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Package composant fournisseur | Power56 |
Séries | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 16A, 10V |
Puissance - Max | 1W |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
Autres noms | FDMS3615S-ND FDMS3615STR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 39 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 13V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 25V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 16A, 18A 1W Surface Mount Power56 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 16A, 18A |