| Modèle de produit : | FDME820NZT |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 88624 pcs |
| Livret des spécifications | FDME820NZT.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta) |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | 6-PowerUFDFN |
| Autres noms | FDME820NZTDKR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 39 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | N-Channel 20V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
