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EPC8004

Modèle de produit : EPC8004
Fabricant / marque : EPC
La description : TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 11119 pcs
Livret des spécifications 1.EPC8004.pdf2.EPC8004.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) +6V, -4V
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur Die
Séries eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 500mA, 5V
Dissipation de puissance (max) -
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte Die
Autres noms 917-1072-1
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 52pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.45nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V
Tension drain-source (Vdss) 40V
Description détaillée N-Channel 40V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Ta)
EPC8004
EPC EPC Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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