Modèle de produit : | EPC2034ENGRT |
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Fabricant / marque : | EPC |
La description : | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 6756 pcs |
Livret des spécifications | EPC2034ENGRT.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur | Die |
Séries | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 20A, 5V |
Dissipation de puissance (max) | - |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | Die |
Autres noms | 917-1142-2 917-1142-2-ND 917-EPC2034ENGRTR |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V |
Tension drain-source (Vdss) | 200V |
Description détaillée | N-Channel 200V 31A (Ta) Surface Mount Die |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 31A (Ta) |