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EPC2022ENGRT

Modèle de produit : EPC2022ENGRT
Fabricant / marque : EPC
La description : TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5747 pcs
Livret des spécifications EPC2022ENGRT.pdf
Tension - Test 1400pF @ 50V
Tension - Ventilation Die
Vgs (th) (Max) @ Id 3.2 mOhm @ 25A, 5V
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Séries eGaN®
État RoHS Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90A (Ta)
Polarisation Die
Autres noms 917-1140-1
917-1140-1-ND
917-EPC2022ENGRCT\
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant EPC2022ENGRT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13nC @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5V @ 12mA
Fonction FET N-Channel
Description élargie N-Channel 100V 90A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss) -
La description TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100V
Ratio de capacité -
EPC2022ENGRT
EPC EPC Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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