Modèle de produit : |
EMZ8T2R |
Fabricant / marque : |
LAPIS Semiconductor |
La description : |
TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT |
État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible |
296225 pcs |
Livret des spécifications |
1.EMZ8T2R.pdf2.EMZ8T2R.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V, 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Transistor Type |
NPN, PNP |
Package composant fournisseur |
EMT6 |
Séries |
- |
Puissance - Max |
150mW |
Emballage |
Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte |
SOT-563, SOT-666 |
Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant |
10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition |
180MHz, 260MHz |
Description détaillée |
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V, 12V 150mA, 500mA 180MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) |
150mA, 500mA |