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EMZ8T2R

Modèle de produit : EMZ8T2R
Fabricant / marque : LAPIS Semiconductor
La description : TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 296225 pcs
Livret des spécifications 1.EMZ8T2R.pdf2.EMZ8T2R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type NPN, PNP
Package composant fournisseur EMT6
Séries -
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 180MHz, 260MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V, 12V 150mA, 500mA 180MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 150mA, 500mA
EMZ8T2R
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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