| Modèle de produit : | EMZ51T2R |
|---|---|
| Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
| La description : | TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 435780 pcs |
| Livret des spécifications | 1.EMZ51T2R.pdf2.EMZ51T2R.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Package composant fournisseur | EMT6 |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 150mW |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms | EMZ51T2RDKR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 400MHz, 350MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 200mA 400MHz, 350MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA |
LAPIS Semiconductor
