| Modèle de produit : |
EMF22T2R |
| Fabricant / marque : |
LAPIS Semiconductor |
| La description : |
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 |
| État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible |
5662 pcs |
| Livret des spécifications |
EMF22T2R.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V, 12V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Transistor Type |
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Package composant fournisseur |
EMT6 |
| Séries |
- |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) |
10 kOhms |
| Résistance - Base (R1) |
10 kOhms |
| Puissance - Max |
150mW |
| Emballage |
Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte |
SOT-563, SOT-666 |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition |
250MHz, 320MHz |
| Description détaillée |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) |
100mA, 500mA |
LAPIS Semiconductor
