Modèle de produit : | EMD12T2R |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 324370 pcs |
Livret des spécifications | 1.EMD12T2R.pdf2.EMD12T2R.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | EMT6 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Puissance - Max | 150mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms | EMD12T2RCT |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | MD12 |