Modèle de produit : | EMB61T2R |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 626020 pcs |
Livret des spécifications | 1.EMB61T2R.pdf2.EMB61T2R.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | EMT6 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 150mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms | EMB61T2RTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 50mA |