| Modèle de produit : | EMA3T2R |
|---|---|
| Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
| La description : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 513952 pcs |
| Livret des spécifications | 1.EMA3T2R.pdf2.EMA3T2R.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Package composant fournisseur | EMT5 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
| Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max | 150mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
LAPIS Semiconductor
