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EFC6612R-A-TF

Modèle de produit : EFC6612R-A-TF
Fabricant / marque : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5038 pcs
Livret des spécifications
Vgs (th) (Max) @ Id -
Package composant fournisseur 6-CSP (1.77x3.54)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Puissance - Max 2.5W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD, No Lead
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tension drain-source (Vdss) -
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -
EFC6612R-A-TF
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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