Modèle de produit : | EFC6612R-A-TF |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5038 pcs |
Livret des spécifications | |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Package composant fournisseur | 6-CSP (1.77x3.54) |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Puissance - Max | 2.5W |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 6-SMD, No Lead |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Fonction FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Tension drain-source (Vdss) | - |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - |