Modèle de produit : | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
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Fabricant / marque : | Micron Technology |
La description : | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4177 pcs |
Livret des spécifications | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR.pdf |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Tension - Alimentation | 1.14 V ~ 1.95 V |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Package composant fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Séries | - |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 134-VFBGA |
Autres noms | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-ND EDB1316BDBH-1DAUT-F-RTR |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | DRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |