| Modèle de produit : | DTD743ZMT2L |
|---|---|
| Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
| La description : | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 335455 pcs |
| Livret des spécifications | DTD743ZMT2L.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | VMT3 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max | 150mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-723 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 260MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA |
| Numéro de pièce de base | DTD743 |
LAPIS Semiconductor
