Modèle de produit : | DTD513ZMGT2L |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V), |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 405950 pcs |
Livret des spécifications | DTD513ZMGT2L.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | VMT3 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Puissance - Max | 150mW |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | SOT-723 |
Autres noms | DTD513ZMGT2LDKR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 260MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |