| Modèle de produit : | DTC144EUBHZGTL |
|---|---|
| Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
| La description : | NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 892641 pcs |
| Livret des spécifications | 1.DTC144EUBHZGTL.pdf2.DTC144EUBHZGTL.pdf |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Package composant fournisseur | UMT3F |
| Séries | Automotive, AEC-Q101 |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
| Puissance - Max | 200mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | SC-85 |
| Autres noms | DTC144EUBHZGTLCT |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
LAPIS Semiconductor
