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DTC143TSATP

Modèle de produit : DTC143TSATP
Fabricant / marque : LAPIS Semiconductor
La description : TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4158 pcs
Livret des spécifications DTC143TSATP.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SPT
Séries -
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 300mW
Emballage Tape & Box (TB)
Package / Boîte SC-72 Formed Leads
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base DTC143
DTC143TSATP
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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