Modèle de produit : | DTC143TCAHZGT116 |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 841233 pcs |
Livret des spécifications | 1.DTC143TCAHZGT116.pdf2.DTC143TCAHZGT116.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
Package composant fournisseur | SST3 |
Séries | Automotive, AEC-Q101 |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Puissance - Max | 350mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | DTC143TCAHZGT116CT |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |