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DTC143TCAHZGT116

Modèle de produit : DTC143TCAHZGT116
Fabricant / marque : LAPIS Semiconductor
La description : NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 841233 pcs
Livret des spécifications 1.DTC143TCAHZGT116.pdf2.DTC143TCAHZGT116.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur SST3
Séries Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 350mW
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms DTC143TCAHZGT116CT
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
DTC143TCAHZGT116
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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