Modèle de produit : | DTC123JUBHZGTL |
---|---|
Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 881086 pcs |
Livret des spécifications | 1.DTC123JUBHZGTL.pdf2.DTC123JUBHZGTL.pdf |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
Package composant fournisseur | UMT3F |
Séries | Automotive, AEC-Q101 |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-85 |
Autres noms | DTC123JUBHZGTLTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |