Modèle de produit : | DTC123EUAT106 |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 1948505 pcs |
Livret des spécifications | 1.DTC123EUAT106.pdf2.DTC123EUAT106.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | UMT3 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
Autres noms | DTC123EUAT106-ND DTC123EUAT106TR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | DTC123 |