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DTC015EEBTL

Modèle de produit : DTC015EEBTL
Fabricant / marque : LAPIS Semiconductor
La description : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 2365884 pcs
Livret des spécifications 1.DTC015EEBTL.pdf2.DTC015EEBTL.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur EMT3F (SOT-416FL)
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 100 kOhms
Résistance - Base (R1) 100 kOhms
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-89, SOT-490
Autres noms DTC015EEBTLTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 20mA
DTC015EEBTL
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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