Modèle de produit : | DTB713ZMT2L |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 414342 pcs |
Livret des spécifications | DTB713ZMT2L.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | VMT3 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Puissance - Max | 150mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-723 |
Autres noms | DTB713ZMT2LTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 260MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA |
Numéro de pièce de base | DTB713 |