| Modèle de produit : | DTA124ESATP |
|---|---|
| Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
| La description : | TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5901 pcs |
| Livret des spécifications | DTA124ESATP.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | SPT |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
| Puissance - Max | 300mW |
| Emballage | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte | SC-72 Formed Leads |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 300mW Through Hole SPT |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 30mA |
| Numéro de pièce de base | DTA124 |
LAPIS Semiconductor
